本标准规定了半导体集成电路冲压型引线框架术语和定义、技术要求、检测及验收规定、标志、储存等。本标准适用于半导体集成电路冲压型引线框架。

本标准规定了集成电路引线框架银电镀银层的技术要求。本标准规定了集成电路引线框架银电镀银层的技术要求。

本标准规定了半导体材料多线切割机的术语和定义、产品分类和规格、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本标准适用于切割单晶硅、多晶硅、锗以及蓝宝石等各种硬脆性半导体材料的多线切割机。

本标准规定了谐波保护器的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存等要求，适用于交流50Hz，额定工作电压不超过1000V低压配电系统的谐波保护器。

本标准规定了实际应用中介电圆柱谐振器在微波频率范围内介电性能的测量方法。

本标准规定了毫米波频段介电谐振器材料介电特性的测量方法。本标准包含两种测量方法：无辐射介电波导（NRD波导）激励的介电圆柱谐振器法和带有小圆环同轴电缆激励的截止波导法。

本标准规定了电视接收机用直下式LED背光组件的定义、技术要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存的要求。适用于以LED作为发光光源、且用于电视接收机的直下式背光组件。

本标准规定了半导体管特性图示仪校准仪的术语和定义、技术要求、测量方法。适用于直流电压源输出范围不超过0.01V～5000V，直流电流源输出范围不超过10nA～10A，取样电阻标称范围不超过0.005Ω～10MΩ，阶梯电压归一化变换范围不超过0.1V～20V，阶梯电流归一化变换范围不超过10μA～20A，阶梯电压表测量范围不超过0.01V/阶～10V/阶，阶梯电流表测量范围不超过0.1μA/阶～10A/阶，脉冲电流表测量范围不超过10A～1000A的校准仪。

本标准规定了便携式家用电器用锂离子电池和电池组的安全要求。

本标准规定了印制电路用导热型涂树脂铜箔的术语定义、产品分类、材料、要求、质量保证、试验方法、合格证明及材料安全资料表、包装、标识、运输和贮存等。

本标准主要规定了电子、电气设备和仪表等电路焊接所用的锡焊用助焊剂的试验方法。

本标准规定了电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法。本标准适用于电子陶瓷用三氧化二铝中二氧化硅、三氧化二铁、氧化镁、氧化钙杂质的测定。

本标准规定了电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法。本标准适用于电子陶瓷用二氧化锆中铁、硅、磷、钙、镁和钛的氧化物杂质测定的中型摄谱仪方法。

本标准规定了电子陶瓷用二氧化钛中杂质的发射光谱分析方法。本标准适用于电子陶瓷用二氧化钛中铁、硅、磷、钙、镁、铝和锑的氧化物杂质的测定。