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标准号标准名称替代标准实施日期状态
SJ 2235.3-1982钠钙硅玻璃的化学分析方法1983-07-01已废止
SJ 2235.2-1982硼硅玻璃的化学分析方法1983-07-01已废止
SJ 2235.12-1982玻璃中少量锌、铅的极谱测定法1983-07-01已废止
SJ 2235.1-1982电真空玻璃分析方法总则1983-07-01已废止
SJ 2235.11-1982原子吸收分光光度法测定电真空玻璃中钙、镁、铁、钾、钠、锂、钴、镍、铅、锌、钡、锶1983-07-01已废止
SJ 2235.10-1982玻璃中某些少量元素的测定方法1983-07-01已废止
SJ 2232-1982厚膜、薄膜集成电路金属外壳技术条件1983-07-01已废止
SJ 2231-1982厚膜、薄膜集成电路直流稳压电源系列和品种SJ 2228-19821983-07-01已废止
SJ 2226-1982小型系列组合夹具类型和规格尺寸SJ 2221-19821983-07-01现行
SJ 2225-1982中型系列组合夹具类型和规格尺寸SJ 2221-19821983-07-01现行
SJ 2224-1982小型系列组合夹具结构要素SJ 2221-19821983-07-01现行
SJ 2223-1982中型系列组合夹具结构要素SJ 2221-19821983-07-01现行
SJ 2222-1982中、小型系列组合夹具编号规则SJ 2221-19821983-07-01现行
SJ 2221-1982中、小型系列组合夹具技术要求1983-07-01被代替
SJ 2234-1982厚膜集成电路用陶瓷基片1983-07-01已废止
SJ 2227-1982恒定失效率假设的有效性检验方法1983-07-01已废止
SJ/T 2217-1982硅光敏三极管SJ 2216-19821983-07-01被代替
SJ/T 2216-1982硅光敏二极管1983-07-01被代替
SJ/T 2215.9-1982半导体光耦合器(三极管)反向截止电流的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.8-1982半导体光耦合器输出饱和压降的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.7-1982半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.6-1982半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.5-1982半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.4-1982半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.3-1982半导体光耦合器(二极管)正向电流的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.2-1982半导体光耦合器(二极管)正向压降的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.14-1982半导体光耦合器入出间绝缘耐压的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.13-1982半导体光耦合器入出间绝缘电阻的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.12-1982半导体光耦合器入出间隔离电容的测试方法1983-07-01被代替
SJ/T 2215.1-1982半导体光耦合器测试方法总则1983-07-01被代替


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