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电子行业《半导体集成电路 串行NAND型快闪存储器接口规范》等20项国家标准报批公示
发布日期:2016-11-22公示结束日期:2016-12-21

    根据国标委下达的标准制修订计划,现对20项电子行业标准报批公示,公示截止日期为2016年12月21日。如有不同意见,点击标准名称进行在线提意见。


联系人:崔文浩

联系电话:010-68200653 13141417771


公示清单(公示期内可点击项目名进行意见反馈)
计划号标准名称主要内容报批稿
20154248-T-339微波电路噪声源测试方法

规定了微波噪声源的超噪比、超噪比温度系数、插入损耗、电压驻波比等电参数的测试的一般要求、注意事项、测试框图、参数计算、测试程序、规定条件等内容。

适用于微波电路噪声源的电参数测试。


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20154247-T-339微波电路压控振荡器测试方法

规定了压控振荡器的频率范围、长期频率稳定度、输出功率、带内功率波动、功率温度系数等电参数的测试框图、参数计算、测试步骤等内容。

适用于双极晶体管(BJT)和场效应管(FET)制造的压控振荡器的电参数测试。


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20154242-T-339微波电路频率源测试方法

规定了频率源的输出频率、频率准确度、电调灵敏度、输出功率、功率温度稳定度、谐波抑制度、杂波抑制度、单边带相位噪声和跳频时间等电参数的测试框图、测试步骤等内容。

适用于微波电路  频率源,包括直接模拟合成源、直接数字合成源、间接模拟合成源和间接数字合成源。


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20154230-T-339数字集成电路 输入/输出电气接口模型规范

规定了适用范围、术语和定义、大纲、模型结构、详细模型描述、模型的等级等内容。

适用于设备的电气特性分析。


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20154249-T-339集成电路倒装焊试验方法

规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。

适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。


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20154237-T-339非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

规定了耐久和数据保持试验的试验方法。包括技术内容中的原理、设备、程序等内容。

适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路。


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20154234-T-339半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式

规定了数据交换使用的EXPRESS语言的格式要求,用以记录芯片产品的各种信息,确保数据交互过程的正确性。

适用于信息系统和电子商务等领域中。


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20154244-T-339半导体芯片产品 第7部分:数据交换的XML格式

规定了一种 XML 格式,给格式定义了数据交换所需的元素。满足半导体芯片产品系列标准中定义的交换结构进行了补充,并兼容了第 4 部分标准中的信息表,同时对信息表进行补充。

适用于信息系统和电子商务等领域中。


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20154232-T-339半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求

规定了带互连结构或不带互连结构裸芯片、封装芯片和热仿真模型的热仿真信息要求。

适用于评估半导体芯片产品及其与电路板构成电子系统或整机的热学性能。


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20154226-T-339半导体芯片产品 第5部分:电学仿真要求

规定了范围、规范性引用文件、术语和定义、总则、电学仿真模型的要求和附录等内容。

适用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。


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20154233-T-339半导体芯片产品 第4部分:芯片使用者和供应商要求

规定了半导体芯片产品的基准位置、基准几何数据、仿真器、终端组、排列等方面信息内容给出了指导性要求,用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。

芯片使用者和供应商之间都应遵守的信息交流内容及格式等。

适用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。


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20154241-T-339半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南

规定了半导体芯片产品在操作、包装和储存过程中的着装、洁净区、工具、静电防护、减薄、划片、分选、存放、传送、包装、运输、短期储存、长期储存、可追溯性等方面的一般要求。

适用于用于指导半导体芯片产品的操作、包装、储存和应用。


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20154243-T-339半导体芯片产品 第2部分:数据交换格式

规定了可用于数据交换的数据格式,此格式在 GB/T  XXXX 半导体系列标准的其他部分有应用,同时所有使用到的参数定义依据GB/T 17564 的准则和方法。

适用于数据交换格式的应用。


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20154246-T-339半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求

规定了半导体芯片在设计、采购、制造和测试等方面的要求,尤其是在质量、测试、可靠性方面给出了指导性要求,也在包装、运输、出处等方面也给出了详细的指导性要求

适用于半导体芯片产品的采购和使用。


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20154227-T-339半导体集成电路 模拟开关测试方法

规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关电参数测试方法从测试项精度、多路复用及多路转换功能验证相关方面对模拟开关电路的通用测试方法进行修订。

适用于双极、MOS、结型场效应半导体集成电路


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20154236-T-339半导体集成电路 电压调整器测试方法

规定了测试项目类别、测试方式方法、测试精度、电压稳定性、输出电流能力等相关方面对电压调整器的通用测试方法进行修订和补充。

适用于半导体集成电路电压调整器的电参数测试。


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20154235-T-339半导体集成电路 电平转换器测试方法

规定了电平转换器参数测试原理及测试方法,功能性能的测试原理与方法。

适用于半导体集成电路电平转换器的电参数测试


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20154229-T-339半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法

规定了眼图高度、眼图宽度、确定性抖动、互补态共模输出电压的变化、差分输出电压、互补态差分输出电压的变化、LVDS 输出短路电流、LVDS 输出高阻态电流等参数测试方法。

适用于半导体集成电路低电压差分信号电路的电参数测试。


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20154228-T-339半导体集成电路 串行NOR型快闪存储器接口规范

规定了串行 NOR 型快闪存储器的物理接口、存储阵列架构、指令定义以及参数列表说明等内容。

适用于地址为 24 位的串行 NOR 型快闪存储器的设计和使用。


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20154250-T-339半导体集成电路 串行NAND型快闪存储器接口规范

规定了串行 NAND 型快闪存储器的物理接口、存储阵列架构、指令定义以及参数说明等内容。

适用于串行 NAND 型快闪存储器的设计和使用


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