本标准规定了IP核的可测试性设计约束和结构，对可测试性结构、测试包封及测试接口进行规定。

    本标准适用于对IP核进行可测试性设计、测试集成和IP核测试。

本标准基于电子设计知识产权（IP）质量度量信息模型，规定了用于表示IP质量信息的标准XML格式。标准包括XML架构和与度量IP质量以及系统中执行的软件质量的相关条款。XML架构和IP质量信息模型可以专注于IP用户感兴趣的特定范畴。在本标准中，术语IP用于表示电子设计知识产权。电子设计知识产权是电子设计领域使用的术语，是指可复用的设计规范的集合，可代表行为、属性和/或以不同媒质表示的设计。

本标准规定了通用NAND型快闪存储器的物理接口、阵列排布、数据接口和时序以及指令定义等。

本标准适用于“异步”接口，对于“同步”接口可参照执行。

本标准支持1.8V/3.3V两种电源电压类型的NAND型快闪存储器（以下简称器件），同时还支持双列弯引线（SOP）封装和平面触点阵列（LGA）封装。对于其他电源电压和封装形式的NAND型快闪存储器产品也可参考执行。

本标准规定了半导体集成电路串行外设接口测试方法。

本标准适用于半导体集成电路串行外设接口电特性及功能验证。

本标准规定了在数字微电子器件封装引出端之间，测试宽带数字信号和噪声交叉耦合水平的方法。

本标准适用于数字微电子器件封装。当驱动和负载阻抗已知时，适用于多种逻辑系列产品。

本标准规定了高频数字微电子封装中传输线的特性阻抗、传输延迟时间、负载电容、负载电感、直流串联电阻的测试方法。

本标准适用于高频数字微电子封装。

本标准规定了复杂、宽频带微电子器件用封装的地和电源引出端的串联阻抗测试方法。

本标准适用于评估和比较不同封装之间性能的差异，并可用于预测封装对电源噪声和地噪声引入程度的影响。

本标准规定了微波电路的型号命名方法。

本标准适用于微波组件、微波混合集成电路、微波半导体集成电路/芯片以及微波无源电路等的型号命名，100GHz以上太赫兹微波电路的型号命名方法可参照执行。

本标准规定了SRAM型现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array，以下简称FPGA）的电参数测试方法。

本标准规定了半导体集成电路电压比较器（以下简称器件）电特性测试方法。

本标准规定了硅通孔尺寸的几何测量术语和定义。

本标准适用于硅通孔尺寸的几何测量，其中硅通孔可完全贯穿硅晶圆，也可部分贯穿硅晶圆；硅通孔内可含有金属导体及其他介质，也可不包含金属导体及其他介质。

玻璃通孔尺寸的几何测量也可参考本标准。

本标准规定了功率电机驱动器（以下称为器件）的术语和定义、一般要求、测试方法等。

本标准适用于H桥直流电机驱动器、三相桥无刷直流电机驱动器的电参数测试。